Flip-chip интеграция с электроплатированными индиевыми бамперами для сверхпроводящих кубитов

Исследователи разработали трёхмерную архитектуру транзмон-кубита, использующую электроплатированные индиевые бамп-бонды для flip-chip интеграции. В предложенной конструкции электрическое поле кубита распределяется почти поровну между двумя соединёнными подложками, при этом минимизируется участие интерфейса с индиевыми бамперами, что снижает потери.

Такой подход подходит для создания гибридных кубитов, объединяющих различные материаловые платформы с пониженной чувствительностью к потерям на границе контакта. В ходе экспериментов flip-chip транзмоны с электроплатированными индиевыми бамперами демонстрируют факторы качества кубитов порядка 10^6.

Дополнительно исследование копланарных волноводных резонаторов выявило, что основным источником потерь является поверхность золотого слоя, обеспечивающего надёжный электрический контакт с индиевым покрытием, что влияет на скорость затухания кубита.

Результаты подтверждают совместимость технологии электроплатированного индия с высококогерентными сверхпроводящими схемами и открывают перспективы для трёхмерной гибридной квантовой интеграции.

По данным arxiv.org.